NXP相关型号_深圳市瑞博齐创科技有限公司

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KH/CFM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07D160W04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 16W 12.5V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W