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LS1017AXN7HNA相关型号

  • MRFE6VP8600HSR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

  • MMRF1304NR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V

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    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W

  • MRF8S9120NR3

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  • MMRF1304LR5

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  • MW6S010GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W

  • MRFE6VP5600HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

  • MRF1513NT1

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NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • LS1017AXN7HNA

  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：LS1017A-800 XT NO SEC
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装
  • 系列QorIQ® Layerscape
  • 零件状态有源
  • 核心处理器ARM® Cortex®-A72
  • 核数/总线宽度1 코어，64 位
  • 速度800MHz
  • 协处理器/DSP-
  • RAM 控制器DDR3L SDRAM，DDR4 SDRAM
  • 图形加速-
  • 显示与接口控制器-
  • 以太网1Gbps（1），2.5Gbps（5）
  • SATASATA 6Gbps（1）
  • USB-
  • 电压 - I/O-
  • 工作温度-40°C ~ 105°C（TA）
  • 安全特性-
  • 封装/外壳448-BFBGA
  • 供应商器件封装448-FBGA（17x17）

其它信息

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