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P4040NSE1PNB相关型号

  • MRFE6VP8600HSR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

  • MMRF1304NR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V

  • MRF6S20010GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W

  • MRF8S9120NR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2

  • MMRF1304LR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V

  • MW6S010GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W

  • MRFE6VP5600HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

  • MRF1513NT1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5

NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • P4040NSE1PNB

  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：IC MPU Q OR IQ 1.5GHZ 1295FCBGA
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装托盘
  • 系列QorIQ P4
  • 零件状态停產
  • 核心处理器PowerPC e500mc
  • 核数/总线宽度4 코어，32 位
  • 速度1.5GHz
  • 协处理器/DSP安全；SEC 4.0
  • RAM 控制器DDR2，DDR3
  • 图形加速无
  • 显示与接口控制器-
  • 以太网1Gbps（8），10Gbps（2）
  • SATA-
  • USBUSB 2.0 + PHY（2）
  • 电压 - I/O1.8V，2.5V，3.3V
  • 工作温度0°C ~ 105°C（TA）
  • 安全特性启动安全，密码技术，随机数发生器，安全保险丝盒
  • 封装/外壳1295-BBGA，FCBGA
  • 供应商器件封装1295-FCPBGA（37.5x37.5）

其它信息

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