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A2T18S261W12NR3相关型号

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NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • A2T18S261W12NR3

  • 制造商：NXP / Freescale
  • 批号：19+
  • 描述：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S261W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，A2T18S261W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 技术:Si
  • Id-连续漏极电流:3 A
  • Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 65 V
  • 增益:18.2 dB
  • 输出功率:56 W
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:OM-880X-2L2L
  • 封装:Reel
  • 工作频率:1805 MHz to 1880 MHz
  • 类型:RF Power MOSFET
  • 商标:NXP / Freescale
  • 通道数量:1 Channel
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:250
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V
  • 零件号别名:935338749528
  • 单位重量:3.796 g

其它信息

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