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MMRF5014H-500MHZ相关型号
NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MMRF5014H-500MHZ

  • 制造商：NXP / Freescale
  • 批号：19+
  • 描述：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 技术:GaN SiC
  • Id-连续漏极电流:350 mA
  • Vds-漏源极击穿电压:150 V
  • 增益:18 dB
  • 输出功率:125 W
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:NI-360H-2SB
  • 工作频率:1 MHz to 2700 MHz
  • 类型:RF Power MOSFET
  • 商标:NXP / Freescale
  • 通道数量:1 Channel
  • Pd-功率耗散:232 W
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:1
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, 0 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.3 V
  • 零件号别名:935345452598
  • 单位重量:500 mg

其它信息

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