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MRFE8VP8600HSR5相关型号

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NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MRFE8VP8600HSR5

  • 制造商：NXP / Freescale
  • 批号：19+
  • 描述：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管极性:Dual N-Channel
  • 技术:Si
  • Id-连续漏极电流:2.8 A
  • Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 115 V
  • 增益:21 dB
  • 输出功率:140 W
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:NI-1230S-4S
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 工作频率:470 MHz to 860 MHz
  • 系列:MRFE8VP8600H
  • 类型:RF Power MOSFET
  • 商标:NXP / Freescale
  • 通道数量:2 Channel
  • Pd-功率耗散:1.25 kW
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:50
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V
  • 零件号别名:935345546178
  • 单位重量:13.264 g

其它信息

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