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TWR-S12G64相关型号

  • MRFE6VP8600HSR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

  • MMRF1304NR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V

  • MRF6S20010GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W

  • MRF8S9120NR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2

  • MMRF1304LR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V

  • MW6S010GNR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W

  • MRFE6VP5600HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

  • MRF1513NT1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5

NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TWR-S12G64

  • 制造商：NXP / Freescale
  • 批号：19+
  • 描述：开发板和工具包 - 其他处理器 S12G64 Tower Board
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，TWR-S12G64的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:开发板和工具包 - 其他处理器
  • RoHS:是
  • 产品:Development Platforms
  • 核心:S12
  • 工具用于评估:S12G64
  • 商标:NXP / Freescale
  • 接口类型:CAN, LIN, RS-232, UART, USB
  • 数据总线宽度:16 bit
  • 用于:9S12G
  • 产品类型:Development Boards & Kits - Other Processors
  • 工厂包装数量:1
  • 子类别:Development Tools
  • 商标名:Tower System
  • 零件号别名:935327165598
  • 单位重量:0.001 mg

其它信息

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