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BF904AWR,115相关型号

  • MRFE6VP8600HSR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

  • MMRF1304NR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V

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    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W

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  • MMRF1304LR5

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  • MW6S010GNR1

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  • MRFE6VP5600HR5

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  • MRF1513NT1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5

NXP热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • BF904AWR,115

  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143R
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 晶体管类型N 通道双门
  • 频率200MHz
  • 增益-
  • 电压 - 测试5V
  • 额定电流（安培）30mA
  • 噪声系数1dB
  • 电流 - 测试10mA
  • 功率 - 输出-
  • 电压 - 额定7V
  • 封装/外壳SC-82A，SOT-343
  • 供应商器件封装CMPAK-4

其它信息

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