NXP相关型号_深圳市瑞博齐创科技有限公司

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015GN/FM2///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5300N/FM4F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1019N/PLD4L///REEL 7

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V