NXP相关型号_深圳市瑞博齐创科技有限公司

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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1315N/FM2F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600H/CFM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V