NXP相关型号_深圳市瑞博齐创科技有限公司

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-200MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308HS/CFM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300GN/FM2///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V