NXP相关型号_深圳市瑞博齐创科技有限公司

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314H/CFM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011HS/CFM2F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320N/FM4F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHE1003N/FM2F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317HS/CFM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600N/FM4F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018NB/FM4F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V