NXP相关型号_深圳市瑞博齐创科技有限公司

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N/FM2F///REEL 13 Q2 DP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-434

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-225

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300-1STG

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF5/HWONLY///BOARDS NO MARK

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V